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该异质结构由二硫化钼(MoS2)嵌入通道、全球hBN隧道阻挡层和二硒化钨层组成。图2a显示了具有多端石墨烯接触的代表性WSe2/hBN/MoS2异质结的示意图和光学显微镜图像，将达在WSe2/hBN/MoS2异质结区，将达由于光生激子的层间电荷转移过程，所有峰的强度都降低。

背景介绍在基于常规半导体制备高性能电子器件时，亿千抑制库仑散射的同时掺杂是必不可少的。首先通过光致发光(PL)和拉曼光谱等光学表征，样制氢装机揭示了上述异质结构中的电荷转移相互作用。用于低温输运研究的石墨烯接触器件表现出良好的欧姆接触行为，全球其接触电阻小于金接触器件，但低温下表现出轻微的非线性ID-VD特性。

断面透射电镜图证实了由四层WSe2、将达三层hBN和三层MoS2组成的WSe2/hBN/MoS2异质结的结构和界面。亿千这就导致了与传统体MODFET或HEMT中二维电子气(2DEG)类似的受限MoS2沟道的掺杂。

在分子掺杂前，样制氢装机两种器件在VBG=70V处表现出类似的温度依赖性迁移率行为，样制氢装机迁移率随着温度降低而增大，在100K达到最高，这表明电荷传输受到声子散射的限制。

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